石家庄 HMC637A 裸片 GaAs MMIC 1 W功率

HMC637A  GaAs MMIC 1 W功率放大器，DC - 6 GHz 量产  

本产品单价较高 货期比较长 如有货期价格方面的问题可以随时咨询国宇航芯黄小姐 13632767652

优势和特点

P1dB输出功率： +30.5 dBm

增益： 14 dB

输出IP3： +41 dBm

偏置电源： +12V、+6V、-1V

50 Ω匹配输入/输出

裸片尺寸： 2.98 x 2.48 x 0.1 mm

产品详情

HMC637A是一款GaAs MMIC MESFET分布式功率放大器裸片，工作频率范围在DC至6 GHz。 该放大器提供14 dB增益、+41 dBm输出IP3和+30.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400mA（采用+12V电源）。 HMC637A在DC至6 GHz范围内提供&plu***n;0.5 dB的出色增益平坦度，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。

HMC637A放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便集成多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过***短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。

应用

电信基础设施

微波无线电和VSAT

太空

测试仪器仪表

光纤产品

另附英文资料

Features and Benefits

P1dB Output Power: +30.5 dBm

Gain: 14 dB

Output IP3: +41 dBm

Bias Supplies: +12V, +6V, -1V

50 Ohm Matched Input/Output

Die Size: 2.98 x 2.48 x 0.1 mm

Product Details

The HMC637A is a GaAs MMIC MESFET Distributed Power Amplifier die which operates between DC and 6 GHz. The amplifier provides 14 dB of gain, +41 dBm output IP3 and +30.5 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring 400mA from a +12V supply. Gain flatness is excellent at &plu***n;0.5 dB from DC to 6 GHz making the HMC637A ideal for EW, ECM, Radar and test equipment applicati***.

The HMC637A amplifier I/Os are internally matched to 50 Ohms facilitating integration into Mutli-ChipModules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm (1 mil) wire bonds of minimal length 0.31 mm (12 mils).

Applicati***

Telecom Infrastructure

Microw***e Radio & VSAT

Military & Space

Test Instrumentation

Fiber Optics

深圳市国宇航芯科技有限公司

项目销售工程师 黄云艳

手机 13632767652

***1256290132

网址：www.chips-one.com